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4N35-W00E 零件图片(仅供参考)

4N35-W00E
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4N35-W00E 规格参数

还在为如何安全、清晰地传递控制信号而烦恼吗?让4N35-W00E光电耦合器成为您系统的“信号翻译官”和“安全卫士”。它利用光作为媒介,在输入与输出之间建立起高达3550Vrms的电气隔离屏障,能轻松阻断高压、噪声和地电位差,确保您的微处理器或逻辑电路在绝对安全的环境中工作。

这颗芯片能为您做什么?它能高效地将您的低压控制信号(最低仅需1.2V正向电压)转换为隔离后的晶体管输出,驱动能力高达100mA,输出饱和压降低至300mV,让信号传递既强效又精准。其宽达-55°C至100°C的工作温度范围和稳定的性能,让您的设备无论是身处严寒还是酷热,都能保持可靠运行。选择它,就是为您的工业控制、电源管理或通信接口模块,注入一份简单而强大的隔离保障。

  • 型号:4N35-W00E
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:6-DIP
  • 类目:隔离器 > 光隔离器 > 晶体管,光电输出光隔离器
  • 描述:OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:3550Vrms
  • 电流传输比(最小值):100% @ 10mA
  • 电流传输比(最大值):-
  • 接通 / 关断时间(典型值):-
  • 上升/下降时间(典型值):3s,3s
  • 输入类型:DC
  • 输出类型:有基极的晶体管
  • 电压 - 输出(最大值):30V
  • 电流 - 输出/通道:100mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.2V
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):60 mA
  • Vce 饱和压降(最大):300mV
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-55°C ~ 100°C
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:6-DIP(0.400,10.16mm)
  • 供应商器件封装:6-DIP
  • 4N35-W00E,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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4N35-W00E 基本参数:

  • 电子零件型号:4N35-W00E
  • 原始制造厂商:安华高(Avago,博通Broadcom)
  • 技术标准参数:OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP
  • 产品应用分类:隔离器 > 光隔离器 > 晶体管,光电输出光隔离器
  • 点击此处查询4N35-W00E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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