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4N45-500E 零件图片(仅供参考)

4N45-500E
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4N45-500E 规格参数

还在寻找一颗能扛起信号隔离重任、驱动能力出色的核心器件吗?4N45-500E光电耦合器正是为您而来。它凭借高达3750Vrms的电气隔离能力,为您彻底隔绝高压危险与噪声干扰,确保控制信号的绝对纯净与安全。

这颗芯片能为您做什么?它能让您轻松实现高效的信号转换与驱动。其内部集成的达林顿晶体管输出结构,配合最高60mA的输出电流,让您无需额外放大电路就能直接驱动继电器、指示灯等负载,极大简化了您的设计。同时,它拥有宽泛的电流传输比(200%-1000%)和仅1.4V的低正向压降,意味着它极其灵敏且功耗更低,能帮助您的设备在-40°C至85°C的宽温范围内稳定、高效地运行。

  • 制造商产品型号:4N45-500E
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:OPTOISO 3.75KV DARL W/BASE 6SMD
  • 系列:-
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:3750Vrms
  • 电流传输比(最小值):200% @ 10mA
  • 电流传输比(最大值):1000% @ 10mA
  • 打开 / 关闭时间(典型值):5s, 150s
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 输入类型:DC
  • 输出类型:有基极的达林顿晶体管
  • 电压 - 输出(最大值):7V
  • 电流 - 输出/通道:60mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.4V
  • 电流 - DC 正向 (If):20mA
  • Vce 饱和值(最大值):-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:6-SMD,鸥翼型
  • 供应商器件封装:6-SMD
  • 4N45-500E,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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4N45-500E 基本参数:

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