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AFBR-S4N44P163 零件图片(仅供参考)

AFBR-S4N44P163
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AFBR-S4N44P163 规格参数

还在为检测微弱紫外信号而头疼吗?AFBR-S4N44P163雪崩光电二极管阵列传感器,专为挑战极限而生。它利用雪崩倍增效应,能将420nm紫外线及其他300-900nm波段内的微弱光信号高效放大,让您轻松捕获以往难以察觉的细节,显著提升系统的检测下限和信噪比。

这颗芯片能为您做什么?它就像为您的设备装上了一双“超感紫外眼”。其低至500nA的暗电流和高达26.9V的工作电压设计,确保了在宽温(-20°C ~ 50°C)环境下依然稳定、低噪声地工作。无论是用于精准的紫外强度分析、材料固化监控,还是环境光谱探测,它都能提供可靠、高灵敏度的数据,让您的产品在精度和可靠性上脱颖而出。

  • 型号:AFBR-S4N44P163
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:
  • 类目:传感器,变送器 > 光学传感器 > 光电二极管
  • 描述:SENSOR PHOTODIODE 420NM ARRAY
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 波长:420nm
  • 颜色 - 增强:紫外线(UV)
  • 频谱范围:300nm ~ 900nm
  • 二极管类型:雪崩
  • 不同 nm 时响应度:-
  • 响应时间:-
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):26.9 V
  • 电流 - 暗(典型值):500nA
  • 有效面积:13.8mm
  • 视角:-
  • 工作温度:-20°C ~ 50°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:阵列 - 16 元件
  • AFBR-S4N44P163,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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AFBR-S4N44P163 基本参数:

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