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零件图片(仅供参考)
AFBR-S4N44P163
规格参数

还在为检测微弱紫外信号而头疼吗?AFBR-S4N44P163雪崩光电二极管阵列传感器,专为挑战极限而生。它利用雪崩倍增效应,能将420nm紫外线及其他300-900nm波段内的微弱光信号高效放大,让您轻松捕获以往难以察觉的细节,显著提升系统的检测下限和信噪比。

这颗芯片能为您做什么?它就像为您的设备装上了一双“超感紫外眼”。其低至500nA的暗电流和高达26.9V的工作电压设计,确保了在宽温(-20°C ~ 50°C)环境下依然稳定、低噪声地工作。无论是用于精准的紫外强度分析、材料固化监控,还是环境光谱探测,它都能提供可靠、高灵敏度的数据,让您的产品在精度和可靠性上脱颖而出。

  • 制造商产品型号:AFBR-S4N44P163
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:SENSOR PHOTODIODE 420NM ARRAY
  • 系列:光学传感器 - 光电二极管
  • 零件状态:有源
  • 波长:420nm
  • 颜色-增强:紫外线(UV)
  • 频谱范围:300nm ~ 900nm
  • 二极管类型:雪崩
  • 不同nm时响应度:-
  • 响应时间:-
  • 电压-DC反向(Vr)(最大值):26.9V
  • 电流-暗(典型值):500nA
  • 有效面积:13.8mm
  • 视角:-
  • 工作温度:-20°C ~ 50°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • AFBR-S4N44P163,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AFBR-S4N44P163
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:SENSOR PHOTODIODE 420NM ARRAY
  • 产品应用分类:光学传感器 - 光电二极管
  • 点击此处查询AFBR-S4N44P163的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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