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还在为射频前端设计的噪声和增益难题寻找答案吗？ATF-33143-TR1G就是为您准备的性能利器。这颗采用先进pHEMT工艺的射频FET晶体管，能在高达2GHz的频率下，为您提供高达15dB的清晰增益，同时将噪声系数压制到惊人的0.5dB，让您的接收系统拥有鹰眼般的灵敏度，轻松捕捉最微弱的有效信号。

它不仅仅是一个放大器，更是一个效率与稳定性的典范。在5.5V的工作电压下，它能高效输出高达22dBm的功率，同时保持优异的线性度。紧凑的SOT-343封装让您能轻松将其集成到空间受限的电路板中，无论是用于LNA（低噪声放大器）提升接收性能，还是作为驱动级提供纯净信号放大，它都能让您的设计事半功倍，高效实现产品性能的飞跃。

• 型号:ATF-33143-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 4V SOT343
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:4 V
• 额定电流（安培）:305mA
• 噪声系数:0.5dB
• 电流 - 测试:80 mA
• 功率 - 输出:22dBm
• 电压 - 额定:5.5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-33143-TR1G，安华高（Avago）产品一站式供应商。