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还在寻找一颗能同时兼顾高增益与超低噪声的射频放大核心吗？ATF-33143-TR2G正是您的理想答案。这颗基于先进pHEMT工艺的FET，能在高达2GHz的频率下，为您提供高达15dB的强劲信号放大能力，同时将噪声系数压制在惊人的0.5dB水平，确保信号放大过程纯净无染，显著提升接收机的灵敏度和系统整体信噪比。

它让您能轻松构建高性能的低噪声放大器（LNA）或驱动级电路。其22dBm的输出功率提供了良好的线性度与动态范围，而5.5V的工作电压与紧凑的SOT-343封装，则让您的设计更高效、更节省空间。无论是用于无线基础设施、测试设备还是专用通信系统，ATF-33143-TR2G都能成为您射频链路中可靠且高效的一环，助力您的产品在信号处理能力上脱颖而出。

• 型号:ATF-33143-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 4V SOT343
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:4 V
• 额定电流（安培）:305mA
• 噪声系数:0.5dB
• 电流 - 测试:80 mA
• 功率 - 输出:22dBm
• 电压 - 额定:5.5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-33143-TR2G，安华高（Avago）产品一站式供应商。