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零件图片(仅供参考)
ATF-33143-TR2G
规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高增益与超低噪声的射频放大核心吗?ATF-33143-TR2G正是您的理想答案。这颗基于先进pHEMT工艺的FET,能在高达2GHz的频率下,为您提供高达15dB的强劲信号放大能力,同时将噪声系数压制在惊人的0.5dB水平,确保信号放大过程纯净无染,显著提升接收机的灵敏度和系统整体信噪比。

它让您能轻松构建高性能的低噪声放大器(LNA)或驱动级电路。其22dBm的输出功率提供了良好的线性度与动态范围,而5.5V的工作电压与紧凑的SOT-343封装,则让您的设计更高效、更节省空间。无论是用于无线基础设施、测试设备还是专用通信系统,ATF-33143-TR2G都能成为您射频链路中可靠且高效的一环,助力您的产品在信号处理能力上脱颖而出。

  • 制造商产品型号:ATF-33143-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:pHEMT FET
  • 频率:2GHz
  • 增益:15dB
  • 电压-测试:4V
  • 额定电流(安培):305mA
  • 噪声系数:0.5dB
  • 电流-测试:80mA
  • 功率-输出:22dBm
  • 电压-额定:5.5V
  • 封装:SC-82A,SOT-343
  • ATF-33143-TR2G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:ATF-33143-TR2G
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 点击此处查询ATF-33143-TR2G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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