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还在为射频前端电路的噪声和增益问题寻找最佳解决方案吗？让ATF-35143-BLKG来为您实现突破。这颗采用先进pHEMT工艺的射频FET晶体管，核心使命就是让您的信号“安静”地强大起来其惊人的0.4dB超低噪声系数，能极大抑制信号链中的背景干扰，而高达18dB的增益则确保微弱信号被显著放大，为您带来前所未有的信号清晰度与系统灵敏度。

它能在高达2GHz的频率下稳定工作，输出功率达10dBm，并采用紧凑的SOT-343封装，让您轻松应对基站、卫星通信、测试设备等应用中对空间和性能的双重要求。选择它，就是为您的产品选择了一个经过验证的高性能射频核心，让设计更高效，让性能表现更卓越。

• 型号:ATF-35143-BLKG
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT343
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:18dB
• 电压 - 测试:2 V
• 额定电流（安培）:80mA
• 噪声系数:0.4dB
• 电流 - 测试:15 mA
• 功率 - 输出:10dBm
• 电压 - 额定:5.5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-35143-BLKG，安华高（Avago）产品一站式供应商。