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还在为高频电路中的信号衰减和噪声干扰烦恼吗？让ATF-36077-STR为您带来改变！这颗采用先进pHEMT工艺的射频FET晶体管，专为高达12GHz的微波应用而优化。它能将微弱的射频信号高效放大12dB，同时将自身噪声抑制在惊人的0.5dB以下，显著提升您接收系统的信噪比和灵敏度。

这意味着，无论是卫星接收、微波通信还是精密测试设备，您都能获得更清晰、更稳定的信号质量。其3V的工作电压和紧凑的77-SMD封装，让您能更轻松地设计出高性能、低功耗且易于集成的射频前端模块，从容应对各种高频挑战。

• 型号:ATF-36077-STR
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:77
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 1.5V 77SMD
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:12GHz
• 增益:12dB
• 电压 - 测试:1.5 V
• 额定电流（安培）:45mA
• 噪声系数:0.5dB
• 电流 - 测试:10 mA
• 功率 - 输出:5dBm
• 电压 - 额定:3 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:4-SMD（77 封装）
• 供应商器件封装:77
• ATF-36077-STR，安华高（Avago）产品一站式供应商。