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还在为射频前端设计的噪声和增益难题烦恼吗？让ATF-36163-TR1G为您带来颠覆性的解决方案！这颗基于pHEMT技术的射频FET晶体管，能在高达4GHz的频段内，为您提供高达15.8dB的强劲增益，同时将噪声系数压制到惊人的0.6dB，确保您的系统捕获最清晰、最纯净的信号。

它专为高效能、低功耗的应用场景优化。仅需3V的工作电压和15mA的电流，就能稳定输出5dBm的功率，让您轻松构建高性能且节能的射频链路。其超小的SOT-363封装，更能帮助您应对紧凑的PCB空间挑战，实现高密度集成，是升级您通信、测试或无线设备性能的理想核心器件。

• 型号:ATF-36163-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:4GHz
• 增益:15.8dB
• 电压 - 测试:2 V
• 额定电流（安培）:40mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:15 mA
• 功率 - 输出:5dBm
• 电压 - 额定:3 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• ATF-36163-TR1G，安华高（Avago）产品一站式供应商。