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您正在设计一款对信号灵敏度有苛刻要求的接收机吗？ATF-36163-TR2G正是为您而来。这颗基于pHEMT技术的射频FET，能在高达4GHz的频率下，为您提供惊人的15.8dB增益和低至0.6dB的噪声系数，让您的系统轻松捕捉微弱信号，大幅提升信噪比。

它采用3V额定电压工作，测试条件温和（2V，15mA），功耗极低，却可输出5dBm的功率，在节省能源的同时保证了出色的线性性能。其超小的SOT-363封装，让您能高效利用宝贵的PCB空间，非常适合集成到各类紧凑型射频前端模块、低噪声放大器和混频器电路中，是提升产品射频性能的得力助手。

• 型号:ATF-36163-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:4GHz
• 增益:15.8dB
• 电压 - 测试:2 V
• 额定电流（安培）:40mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:15 mA
• 功率 - 输出:5dBm
• 电压 - 额定:3 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• ATF-36163-TR2G，安华高（Avago）产品一站式供应商。