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还在寻找那颗能同时兼顾高增益和超低噪声的“全能型”射频晶体管吗？ATF-501P8-TR1正是您的答案。这颗基于先进pHEMT工艺的芯片，在2GHz频点能为您提供高达15dB的增益，同时将噪声系数牢牢压制在惊人的1dB水平，这意味着它能让您的接收机捕捉到更微弱、更清晰的信号，极大提升系统的整体灵敏度。

不仅如此，它还能输出高达29dBm的强劲功率，轻松驱动后级电路。采用紧凑的8-LPCC封装，让您在设计高密度射频模组时更加游刃有余。无论是用于低噪声放大还是功率驱动，ATF-501P8-TR1都能让您的无线设备性能更高效、更可靠。

• 型号:ATF-501P8-TR1
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:1dB
• 电流 - 测试:280 mA
• 功率 - 输出:29dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• ATF-501P8-TR1，安华高（Avago）产品一站式供应商。