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还在寻找一颗能同时兼顾高增益与低噪声的射频放大核心吗？ATF-511P8-BLK正是为您而来的解决方案。它基于E-pHEMT工艺，在2GHz的射频舞台上，能为您提供高达14.8dB的强劲信号放大能力，同时将引入的噪声压制在惊人的1.4dB水平，让您的系统轻松捕捉并清晰还原每一个微弱信号。

这颗芯片能让您的设计如虎添翼。它支持高达30dBm的输出功率，并拥有7V的宽工作电压范围，为您的高动态范围应用提供了坚实的保障。无论是用于LNA提升接收灵敏度，还是作为驱动级放大器，其优异的线性度和效率都能让您的设备性能脱颖而出，高效应对各种复杂的射频挑战。

• 型号:ATF-511P8-BLK
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:14.8dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:1.4dB
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:30dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• ATF-511P8-BLK，安华高（Avago）产品一站式供应商。