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还在寻找那颗能同时征服高增益和低噪声挑战的射频核心吗？ATF-511P8-TR1射频晶体管正是您的理想答案。它基于先进的E-pHEMT工艺打造，在2GHz的工作频率下，能为您带来高达14.8dB的强劲增益，同时将噪声系数牢牢控制在惊人的1.4dB，这意味着您的系统将获得前所未有的信号纯净度与放大效率。

这颗芯片能让您的设计轻松应对高要求场景。其30dBm的高输出功率和1A的电流驱动能力，确保信号传输强劲而稳定；紧凑的8引脚DFN封装则为您节省宝贵的电路板空间。无论是提升无线通信设备的接收灵敏度，还是优化测试仪器的信号链性能，ATF-511P8-TR1都能以卓越的射频性能，助您构建更高效、更可靠的系统解决方案。

• 型号:ATF-511P8-TR1
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:14.8dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:1.4dB
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:30dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• ATF-511P8-TR1，安华高（Avago）产品一站式供应商。