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零件图片(仅供参考)
ATF-511P8-TR1
规格参数

还在寻找那颗能同时征服高增益和低噪声挑战的射频核心吗?ATF-511P8-TR1射频晶体管正是您的理想答案。它基于先进的E-pHEMT工艺打造,在2GHz的工作频率下,能为您带来高达14.8dB的强劲增益,同时将噪声系数牢牢控制在惊人的1.4dB,这意味着您的系统将获得前所未有的信号纯净度与放大效率。

这颗芯片能让您的设计轻松应对高要求场景。其30dBm的高输出功率和1A的电流驱动能力,确保信号传输强劲而稳定;紧凑的8引脚DFN封装则为您节省宝贵的电路板空间。无论是提升无线通信设备的接收灵敏度,还是优化测试仪器的信号链性能,ATF-511P8-TR1都能以卓越的射频性能,助您构建更高效、更可靠的系统解决方案。

  • 制造商产品型号:ATF-511P8-TR1
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:E-pHEMT
  • 频率:2GHz
  • 增益:14.8dB
  • 电压-测试:4.5V
  • 额定电流(安培):1A
  • 噪声系数:1.4dB
  • 电流-测试:200mA
  • 功率-输出:30dBm
  • 电压-额定:7V
  • 封装:8-WFDFN
  • ATF-511P8-TR1,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:ATF-511P8-TR1
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 点击此处查询ATF-511P8-TR1的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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