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还在寻找一颗能同时征服低噪声和高功率挑战的射频核心吗？ATF-511P8-TR2正是您期待的答案。这颗基于先进E-pHEMT工艺的射频FET晶体管，专为2GHz及以下频段的高要求应用而优化，它能为您的前端电路带来高达14.8dB的增益和仅1.4dB的优异噪声系数，让微弱信号的捕捉与放大变得前所未有的清晰与高效。

更令人振奋的是，它在提供卓越信号放大能力的同时，还拥有30dBm的强大输出功率和7V的宽工作电压范围。这意味着您不仅能轻松驱动后级电路，还能确保系统在复杂环境下的稳定性和线性度。采用紧凑的8引脚LPCC封装，它让您在追求极致性能的同时，无需牺牲宝贵的电路板空间，是实现高性能、高集成度射频系统的理想选择。

• 制造商产品型号：ATF-511P8-TR2
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：停产
• 晶体管类型：E-pHEMT
• 频率：2GHz
• 增益：14.8dB
• 电压-测试：4.5V
• 额定电流（安培）：1A
• 噪声系数：1.4dB
• 电流-测试：200mA
• 功率-输出：30dBm
• 电压-额定：7V
• 封装：8-WFDFN
• ATF-511P8-TR2，安华高（Avago）产品一站式供应商。