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还在为射频前端设计的噪声与功率难题而困扰吗？ATF-52189-TR1正是您期待的答案。这颗高性能E-pHEMT射频晶体管，能在高达2GHz的频率下，为您提供高达27dBm的强劲输出功率，同时将噪声系数控制在极低的1.5dB，让您的系统同时拥有“大嗓门”和“好听力”。

它内置16dB的高增益，让微弱信号也能被清晰放大；7V的额定电压和500mA的电流能力，则确保了其在苛刻工作环境下的卓越稳定性和可靠性。无论是用于功率放大还是低噪声放大，ATF-52189-TR1都能让您的设计事半功倍，轻松实现更远距离、更高质量的无线通信。

• 型号:ATF-52189-TR1
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-89
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V SOT89
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:16dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:500mA
• 噪声系数:1.5dB
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:27dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89
• ATF-52189-TR1，安华高（Avago）产品一站式供应商。