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ATF-52189-TR2 零件图片(仅供参考)

ATF-52189-TR2
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ATF-52189-TR2 规格参数

还在寻找一颗能在2GHz频段同时实现高增益和低噪声的射频放大核心吗?ATF-52189-TR2正是为您而来的解决方案。这颗采用E-pHEMT技术的射频FET晶体管,能为您提供高达16dB的强劲信号放大能力,同时将噪声系数严格控制在1.5dB的优异水平,让您的接收机系统轻松捕捉微弱信号,并保持极高的信噪比。

它让您的设计工作更加高效。凭借27dBm的高输出功率和7V的宽工作电压范围,它能驱动后级电路更加稳定可靠。无论是提升无线基础设施的覆盖范围与灵敏度,还是优化测试测量设备的精度,ATF-52189-TR2都能成为您电路中值得信赖的性能担当,助您轻松应对苛刻的射频挑战。

  • 型号:ATF-52189-TR2
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-89
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V SOT89
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:E-pHEMT
  • 配置:-
  • 频率:2GHz
  • 增益:16dB
  • 电压 - 测试:4.5 V
  • 额定电流(安培):500mA
  • 噪声系数:1.5dB
  • 电流 - 测试:200 mA
  • 功率 - 输出:27dBm
  • 电压 - 额定:7 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89
  • ATF-52189-TR2,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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ATF-52189-TR2 基本参数:

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