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还在为射频前端设计的性能瓶颈寻找突破方案吗？ATF-521P8-BLK正是您期待的那颗“强心剂”。它专为2GHz及以下的高要求应用场景而生，其核心使命就是让您轻松获得纯净、强大的信号放大能力。

这颗基于pHEMT技术的FET晶体管芯片，能为您带来高达17dB的信号增益和仅1.5dB的极低噪声系数，确保在放大微弱信号时，有效信息被大幅提升，而无用的噪声被牢牢抑制。同时，它能在4.5V电压下高效工作，输出高达26.5dBm的功率，让您的系统在保持低功耗的同时，拥有强劲的驱动能力。

无论是构建基站的低噪声放大器（LNA），还是驱动混频器的驱动级，ATF-521P8-BLK都能凭借其优异的线性度和稳定性，让您的设计事半功倍，高效实现卓越的射频性能。

• 型号:ATF-521P8-BLK
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 4.5V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:500mA
• 噪声系数:1.5dB
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:26.5dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• ATF-521P8-BLK，安华高（Avago）产品一站式供应商。