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还在寻找那颗能瞬间提升您无线系统接收灵敏度的“心脏”吗？ATF-521P8-TR1正是您期待的答案。这颗基于先进pHEMT工艺的FET芯片，专为2GHz左右的高频应用优化，它能为您做的，是以低至1.5dB的噪声系数捕捉并放大最微弱的信号，同时提供高达17dB的强劲增益，确保信号在链路前端就变得清晰而有力。

它让您轻松实现高达26.5dBm的线性功率输出，显著提升系统的动态范围和抗干扰能力。无论是用于LNA还是驱动级，其4.5V的低工作电压和高效的功耗表现，都能帮助您设计出更节能、更紧凑的产品。选择ATF-521P8-TR1，就是选择了一个经过验证的高性能解决方案，让您的产品在信号处理起跑线上就赢得先机。

• 型号:ATF-521P8-TR1
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 4.5V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:4.5 V
• 额定电流（安培）:500mA
• 噪声系数:1.5dB
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:26.5dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• ATF-521P8-TR1，安华高（Avago）产品一站式供应商。