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还在为射频前端设计的噪声和增益平衡而烦恼吗？ATF-53189-BLK正是为您解决这一核心难题而生的利器。这颗采用先进E-pHEMT技术的射频晶体管，能为您带来低至0.8dB的卓越噪声系数和高达17.2dB的强劲增益，让您的接收机系统轻松捕获清晰、纯净的微弱信号，显著提升整体灵敏度和通信距离。

它能在4V工作电压下高效运行，提供21.7dBm的输出功率，确保您的发射链路或驱动级拥有充沛的动力。其经典的SOT-89封装让PCB布局变得异常轻松，帮助您高效完成从设计到量产的全过程。无论是升级现有产品还是开发新项目，ATF-53189-BLK都能让您以更低的系统复杂度，实现更高层次的射频性能。

• 型号:ATF-53189-BLK
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4V SOT89-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:900MHz
• 增益:17.2dB
• 电压 - 测试:4 V
• 额定电流（安培）:300mA
• 噪声系数:0.8dB
• 电流 - 测试:135 mA
• 功率 - 输出:21.7dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• ATF-53189-BLK，安华高（Avago）产品一站式供应商。