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还在为射频前级的噪声和增益问题头疼吗？让ATF-53189-TR2来为您解决！这颗基于先进pHEMT工艺的晶体管，能在900MHz频段为您提供高达17.2dB的强劲增益，同时将噪声系数压低至惊人的0.8dB，显著提升系统的接收灵敏度和信号信噪比。

它让您轻松实现高达21.7dBm的线性功率输出，确保信号放大后依然纯净有力。工作在4V典型电压下，其宽电压范围（额定7V）和稳健的封装（SOT-89-3）为您带来高效且可靠的设计体验，是低噪声放大器（LNA）、驱动放大器等应用的理想核心器件，助您快速构建高性能射频链路。

• 型号:ATF-53189-TR2
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 4V SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:900MHz
• 增益:17.2dB
• 电压 - 测试:4 V
• 额定电流（安培）:300mA
• 噪声系数:0.8dB
• 电流 - 测试:135 mA
• 功率 - 输出:21.7dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• ATF-53189-TR2，安华高（Avago）产品一站式供应商。