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还在寻找能同时兼顾高增益和超低噪声的射频放大解决方案吗？ATF-531P8-BLK正是您的理想之选。这颗基于E-pHEMT技术的射频FET晶体管，能在高达2GHz的频率下，为您提供高达20dB的强劲信号放大，同时将噪声系数控制在极低的0.6dB水平，让您的系统轻松捕捉微弱信号，大幅提升接收灵敏度。

它能让您的无线通信设备，如基站、中继器或测试仪器，实现更远的传输距离和更清晰稳定的连接。高达24.5dBm的输出功率和7V的工作电压，确保了其在 demanding 应用中的高效与可靠。选择它，就是为您的射频前端注入一颗高性能的“心脏”，让复杂的设计挑战变得简单高效。

• 型号:ATF-531P8-BLK
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:20dB
• 电压 - 测试:4 V
• 额定电流（安培）:300mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:135 mA
• 功率 - 输出:24.5dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• ATF-531P8-BLK，安华高（Avago）产品一站式供应商。