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零件图片(仅供参考)
ATF-531P8-TR1
规格参数

您正在为射频前端设计寻找一颗既能敏锐捕捉微弱信号,又能保持极高纯净度的核心器件吗?ATF-531P8-TR1正是为您而来。这颗基于先进E-pHEMT技术的射频晶体管,在高达2GHz的频率下,能为您提供高达20dB的强劲增益,同时将噪声系数压制在极低的0.6dB,这意味着它能在放大信号的同时,几乎不添加任何“杂质”,让您的系统获得前所未有的信号清晰度。

它让您轻松实现高达24.5dBm的射频功率输出,并能在4V电压下高效工作,非常适合对功耗敏感的高性能应用。无论是提升接收机灵敏度,还是构建高线性度的放大链路,这颗封装小巧的芯片都能成为您设计中高效、可靠的核心动力源泉。

  • 制造商产品型号:ATF-531P8-TR1
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:E-pHEMT
  • 频率:2GHz
  • 增益:20dB
  • 电压-测试:4V
  • 额定电流(安培):300mA
  • 噪声系数:0.6dB
  • 电流-测试:135mA
  • 功率-输出:24.5dBm
  • 电压-额定:7V
  • 封装:8-WFDFN
  • ATF-531P8-TR1,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:ATF-531P8-TR1
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 点击此处查询ATF-531P8-TR1的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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