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您正在为射频前端设计寻找一颗既能敏锐捕捉微弱信号，又能保持极高纯净度的核心器件吗？ATF-531P8-TR1正是为您而来。这颗基于先进E-pHEMT技术的射频晶体管，在高达2GHz的频率下，能为您提供高达20dB的强劲增益，同时将噪声系数压制在极低的0.6dB，这意味着它能在放大信号的同时，几乎不添加任何“杂质”，让您的系统获得前所未有的信号清晰度。

它让您轻松实现高达24.5dBm的射频功率输出，并能在4V电压下高效工作，非常适合对功耗敏感的高性能应用。无论是提升接收机灵敏度，还是构建高线性度的放大链路，这颗封装小巧的芯片都能成为您设计中高效、可靠的核心动力源泉。

• 型号:ATF-531P8-TR1
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:20dB
• 电压 - 测试:4 V
• 额定电流（安培）:300mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:135 mA
• 功率 - 输出:24.5dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• ATF-531P8-TR1，安华高（Avago）产品一站式供应商。