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还在为射频前端的噪声和增益问题头疼吗？让ATF-531P8-TR2来为您解决！这颗基于pHEMT FET技术的低噪声放大器，是专为提升您的无线系统性能而生的利器。它在2GHz频率下，能为您带来惊人的0.6dB超低噪声系数和20dB的高增益，这意味着它能极大地提升信号的信噪比，让您的设备即使在复杂电磁环境下也能捕捉到清晰、纯净的信号。

不仅如此，它还能轻松输出高达24.5dBm的功率，并支持高达7V的宽电压范围，为您提供充足的设计余量和可靠性保障。采用紧凑的8-LPCC封装，它能高效融入您的空间受限设计，帮助您轻松打造出更小、更高效、性能更卓越的通信产品。选择ATF-531P8-TR2，就是选择了一个让设计变简单、让性能更出众的可靠伙伴。

• 型号:ATF-531P8-TR2
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-LPCC（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4V 8LPCC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:20dB
• 电压 - 测试:4 V
• 额定电流（安培）:300mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:135 mA
• 功率 - 输出:24.5dBm
• 电压 - 额定:7 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-LPCC（2x2）
• ATF-531P8-TR2，安华高（Avago）产品一站式供应商。