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还在为射频前端的噪声和增益不足而头疼吗？让ATF-55143-BLKG来为您解决！这颗采用先进E-pHEMT技术的射频FET晶体管，是提升您无线通信设备接收性能的利器。它能在高达2GHz的频率下，为您提供高达17.7dB的强劲增益，同时将噪声系数压制在惊人的0.6dB，确保信号放大过程清晰纯净，大幅提升系统灵敏度。

更令人欣喜的是，它能在2.7V的低电压和仅10mA的电流下高效工作，输出高达14.4dBm的功率，完美平衡了性能与功耗，特别适合电池供电的便携设备。其微小的SOT-343封装，让您能轻松将其集成到空间紧凑的设计中，化繁为简，高效实现高性能的射频放大功能。

• 型号:ATF-55143-BLKG
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 2.7V SOT343
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:17.7dB
• 电压 - 测试:2.7 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:10 mA
• 功率 - 输出:14.4dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-55143-BLKG，安华高（Avago）产品一站式供应商。