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还在为射频前端设计的噪声和增益问题寻找最优解吗？ATF-55143-TR1正是您期待的答案。这颗基于E-pHEMT技术的射频FET，能在高达2GHz的频率下，为您提供高达17.7dB的强劲信号放大，同时将噪声系数压制在惊人的0.6dB，确保输入信号的极致纯净。

它让您轻松构建高性能的低噪声放大器（LNA）电路，显著提升接收机的灵敏度。无论是卫星接收、基站设备还是测试仪器，其5V额定电压、14.4dBm的输出功率以及微型SOT-343封装，都意味着您能在更小的空间内，实现更高效、更可靠的射频前端设计，从容应对苛刻的应用挑战。

• 型号:ATF-55143-TR1
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 2.7V SOT343
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:17.7dB
• 电压 - 测试:2.7 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:10 mA
• 功率 - 输出:14.4dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-55143-TR1，安华高（Avago）产品一站式供应商。