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还在为射频前端电路的噪声和效率问题头疼吗？让ATF-55143-TR1G来为您解决！这颗基于先进E-pHEMT技术的射频晶体管，专为提升您的2GHz应用性能而生。

它能在仅2.7V的低电压下高效工作，为您带来高达17.7dB的强劲信号增益，同时将噪声系数压制在惊人的0.6dB。这意味着，无论是放大微弱的接收信号还是驱动发射链路，它都能让您的系统获得更清晰、更纯净的信号质量，轻松应对高要求的通信场景。

其紧凑的SOT-343封装和5V的额定电压，让您能更灵活地将其集成到空间有限的现代化设计中，实现高性能与高集成度的完美统一。

• 型号:ATF-55143-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 2.7V SOT343
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:17.7dB
• 电压 - 测试:2.7 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:10 mA
• 功率 - 输出:14.4dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-55143-TR1G，安华高（Avago）产品一站式供应商。