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还在为射频前端电路的噪声和增益不足而烦恼吗？让ATF-55143-TR2G来彻底改变您的设计体验！这颗采用先进E-pHEMT技术的射频FET晶体管，能在2GHz频率下为您提供高达17.7dB的强劲增益，同时将噪声系数压制在惊人的0.6dB，显著提升接收链路的信噪比和灵敏度。

它让您的设计工作变得无比轻松高效：仅需2.7V的测试电压和10mA的工作电流，即可释放卓越性能，完美契合电池供电的便携设备对低功耗的严苛要求。高达14.4dBm的输出功率，确保信号放大后依然饱满有力。其紧凑的SOT-343封装，更是为您节省宝贵的电路板空间，助力实现更小巧、更集成的产品设计。

• 型号:ATF-55143-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 2.7V SOT343
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:17.7dB
• 电压 - 测试:2.7 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:10 mA
• 功率 - 输出:14.4dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-55143-TR2G，安华高（Avago）产品一站式供应商。