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还在寻找那颗能同时兼顾超低噪声和强劲驱动力的射频放大核心吗？ATF-58143-BLKG正是您的理想答案。这颗采用先进pHEMT工艺的射频FET，在2GHz频段能为您带来低至0.5dB的噪声系数和高达19dBm的输出功率，让您的接收链路极其灵敏，发射链路同样有力。

它能在3V工作电压下提供16.5dB的稳定增益，确保信号清晰放大。其微型SOT-343封装让您的设计更紧凑、更高效。无论是提升无线设备的接收范围，还是优化测试仪器的信号保真度，ATF-58143-BLKG都能让您轻松构建高性能、高可靠的射频前端，大幅提升最终产品的市场竞争力。

• 型号:ATF-58143-BLKG
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 3V SOT343
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:3 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.5dB
• 电流 - 测试:30 mA
• 功率 - 输出:19dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-58143-BLKG，安华高（Avago）产品一站式供应商。