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还在为射频前端设计的噪声和增益问题头疼吗？让ATF-58143-TR2G为您带来颠覆性的解决方案！这颗基于先进pHEMT工艺的射频FET晶体管，专为2GHz及以下频段的高性能放大而优化。

它能为您做什么？核心在于其惊人的0.5dB超低噪声系数和16.5dB的高增益。这意味着它能在几乎不引入额外噪声的前提下，将微弱的射频信号大幅增强，让您的接收机系统拥有“顺风耳”般的灵敏度。同时，高达19dBm的输出功率让它在驱动后级电路时游刃有余。其紧凑的SOT-343封装和5V工作电压，让您能轻松将其集成到空间受限的移动设备或基站模块中，高效实现系统性能的飞跃。

• 型号:ATF-58143-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-343
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 3V SOT343
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:3 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.5dB
• 电流 - 测试:30 mA
• 功率 - 输出:19dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:SOT-343
• ATF-58143-TR2G，安华高（Avago）产品一站式供应商。