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零件图片(仅供参考)
HBAT-5402-TR1G
规格参数

还在寻找一颗能兼顾高频性能与低功耗的射频核心元件吗?HBAT-5402-TR1G正是您的理想答案。这颗来自安华高科技(博通)的肖特基二极管,专为高效射频应用而生,其1对串联结构能在30V高压下稳定处理220mA电流,最大程度减少信号损耗,让您的电路响应更迅捷,能效比显著提升。

它不仅仅是一个简单的二极管,更是您提升产品可靠性的秘密武器。高达150°C的结温工作能力和250mW的功率耗散设计,确保它在严苛环境下依然稳定如一。采用紧凑的SOT-23-3封装,它能轻松融入您的高密度PCB布局,帮助您打造出更小巧、更强大的终端设备。选择HBAT-5402-TR1G,就是选择让您的设计轻松跨越性能与可靠性的双重门槛。

  • 制造商产品型号:HBAT-5402-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):30V
  • 电流-最大值:220mA
  • 不同Vr、F时电容:-
  • 不同If、F时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):250mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • HBAT-5402-TR1G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HBAT-5402-TR1G
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3
  • 产品应用分类:二极管 - 射频
  • 点击此处查询HBAT-5402-TR1G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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