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零件图片(仅供参考)
HBAT-540B-TR2G
规格参数

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的射频肖特基二极管吗?HBAT-540B-TR2G正是为您而来!它专为要求严苛的高频应用设计,能轻松胜任混频、检波、高速开关等关键任务。

这颗芯片的核心价值在于让您的系统运行更高效、更稳定。其低正向压降特性可显著降低功耗,而快速的开关响应则能确保信号完整性,减少失真。同时,高达150°C的工作结温和825mW的功率处理能力,让您的设备即使在恶劣环境下也能保持卓越性能。选择它,就是为您的产品注入一份来自博通科技的强大动能。

  • 制造商产品型号:HBAT-540B-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压-峰值反向(最大值):30V
  • 电流-最大值:430mA
  • 不同Vr、F时电容:-
  • 不同If、F时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):825mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:SC-70,SOT-323
  • HBAT-540B-TR2G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HBAT-540B-TR2G
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323
  • 产品应用分类:二极管 - 射频
  • 点击此处查询HBAT-540B-TR2G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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