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这颗芯片能为您做什么？它让您在处理高达100V反向电压和2W功率耗散的应用时充满信心，确保系统稳健运行。同时，其出色的高频特性（如1.25pF @ 50V, 1MHz）能显著减少信号失真，帮助您构建出性能更优异、响应更快速的射频前端模块。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与可靠。

• 型号:HSMP-386J-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:8-QFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V 2W 8QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 4 对并行
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:1.25pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:770 毫欧 @ 50mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:2 W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-QFN（2x2）
• HSMP-386J-TR2G，安华高（Avago）产品一站式供应商。