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HSMS-280N-TR1G 零件图片(仅供参考)

HSMS-280N-TR1G
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HSMS-280N-TR1G 规格参数

还在为高频电路中的信号损耗和空间限制头疼吗?让HSMS-280N-TR1G为您带来改变!这颗来自博通(原安华高)的射频肖特基二极管,专为追求高效能的应用而生。

它能为您做什么?其核心价值在于极低的高频损耗。2pF的超低结电容和35欧姆的串联电阻,让它在GHz级别的射频信号处理中游刃有余,无论是混频、检波还是开关,都能确保信号清晰、转换高效。同时,70V的高反向耐压和微型SOT-363封装,让您的设计既稳健又节省空间。

简而言之,HSMS-280N-TR1G让您轻松应对高频挑战,以更小的体积实现更优的射频性能,是提升通信、测试等设备档次的得力助手。

  • 制造商产品型号:HSMS-280N-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 对共阳极
  • 电压-峰值反向(最大值):70V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • HSMS-280N-TR1G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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HSMS-280N-TR1G 基本参数:

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