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HSMS-281E-TR1G 零件图片(仅供参考)

HSMS-281E-TR1G
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HSMS-281E-TR1G 规格参数

还在为高频电路中的信号损耗和响应速度担忧吗?让HSMS-281E-TR1G为您排忧解难!这颗由安华高(博通)出品的肖特基射频二极管,专为高效射频应用而生。它能为您实现高速、低损耗的信号整流与开关,其超低的1.2pF结电容和优化的串联电阻,确保您的高频信号畅通无阻,大幅提升系统的整体效率和灵敏度。

凭借其1A的最大电流和20V的反向峰值电压能力,HSMS-281E-TR1G让您的设计更具鲁棒性。其紧凑的SOT-323封装和高达150°C的结温工作范围,更让您能轻松应对各种紧凑空间和严苛环境下的设计挑战,是构建可靠、高性能射频前端的理想选择。

  • 型号:HSMS-281E-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • HSMS-281E-TR1G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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HSMS-281E-TR1G 基本参数:

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