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HSMS-281E-TR2G 零件图片(仅供参考)

HSMS-281E-TR2G
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HSMS-281E-TR2G 规格参数

还在为高频电路的信号检测效率而困扰吗?HSMS-281E-TR2G正是您期待的解决方案!这颗由安华高科技(Broadcom博通)打造的肖特基射频二极管,专为提升您的射频系统性能而生。它采用1对共阳极设计,拥有低至1.2pF的结电容和出色的高频特性,能让您的电路在混频、检波等应用中实现更快速、更精准的信号处理,显著提升整体响应速度与灵敏度。

凭借其20V的反向峰值电压和1A的电流处理能力,HSMS-281E-TR2G在确保稳定性的同时,能有效降低信号损耗。其紧凑的SOT-323封装让您能轻松优化电路板布局,非常适合空间受限的高频通信设备、测试仪器及各类射频前端模块。选择它,就是为您的产品注入高效、可靠的核心动力。

  • 型号:HSMS-281E-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • HSMS-281E-TR2G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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HSMS-281E-TR2G 基本参数:

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