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HSMS-281F-TR1G 零件图片(仅供参考)

HSMS-281F-TR1G
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HSMS-281F-TR1G 规格参数

您正在设计需要高速信号处理或高频操作的电路吗?HSMS-281F-TR1G正是您理想的解决方案。这颗来自Broadcom的肖特基射频二极管,专为提升您的系统高频性能而生。其超低的结电容和串联电阻,能显著减少信号在GHz频段的损耗与失真,让您的混频、检波或开关电路响应更迅捷,信号更保真。

凭借其微型SOT-323封装和高达150°C的工作结温,它能轻松集成到空间受限的便携设备中,并确保在高温环境下稳定运行。无论是用于无线通信设备的信号调理,还是测试仪器的精密检测,它都能帮助您构建更高效、更可靠的射频前端,让复杂的设计变得简单而高效。

  • 型号:HSMS-281F-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • HSMS-281F-TR1G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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HSMS-281F-TR1G 基本参数:

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