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零件图片(仅供参考)
HSMS-2850-TR1G
规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高频性能与稳定性的射频二极管吗?HSMS-2850-TR1G正是为您的高端射频应用量身打造。它能让您的电路在高达1MHz甚至更高频率下,依然保持极低的寄生电容(典型值0.3pF),这意味着更少的信号损耗和更纯净的波形,无论是用于精密检测还是高速开关,都能让您的系统表现更加出色。

这颗芯片采用经典的肖特基单管结构,具备低至2V的峰值反向电压和高达150°C的结温工作能力,为您提供了宽广的设计余量和可靠的环境适应性。其紧凑的SOT-23-3封装,让您在设计高密度电路板时游刃有余,轻松实现小型化与高性能的完美结合。选择它,就是为您的产品选择了一份高效与稳定的双重保障。

  • 制造商产品型号:HSMS-2850-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压-峰值反向(最大值):2V
  • 电流-最大值:-
  • 不同Vr、F时电容:0.3pF @ 1V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • HSMS-2850-TR1G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HSMS-2850-TR1G
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3
  • 产品应用分类:二极管 - 射频
  • 点击此处查询HSMS-2850-TR1G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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