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还在寻找一颗能同时兼顾高频性能与稳定性的射频二极管吗？HSMS-2850-TR1G正是为您的高端射频应用量身打造。它能让您的电路在高达1MHz甚至更高频率下，依然保持极低的寄生电容（典型值0.3pF），这意味着更少的信号损耗和更纯净的波形，无论是用于精密检测还是高速开关，都能让您的系统表现更加出色。

这颗芯片采用经典的肖特基单管结构，具备低至2V的峰值反向电压和高达150°C的结温工作能力，为您提供了宽广的设计余量和可靠的环境适应性。其紧凑的SOT-23-3封装，让您在设计高密度电路板时游刃有余，轻松实现小型化与高性能的完美结合。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与稳定的双重保障。

• 型号:HSMS-2850-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:2V
• 电流 - 最大值:-
• 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 1V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• HSMS-2850-TR1G，安华高（Avago）产品一站式供应商。