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HSMS-2855-TR1G 零件图片(仅供参考)

HSMS-2855-TR1G
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HSMS-2855-TR1G 规格参数

还在为高频电路中的信号损耗和响应速度烦恼吗?让HSMS-2855-TR1G为您带来改变!这款肖特基射频二极管专为追求极致的射频应用而设计,其超低的结电容(仅0.3pF @1V)能显著减少高频信号路径上的寄生效应,让您的信号更纯净,系统带宽潜力得到充分释放。

它集成了两个独立的高性能肖特基二极管单元,非常适合用于平衡混频、精确检波或高速开关等关键电路。紧凑的SOT143-4封装让您能轻松实现高密度板级设计,同时其坚固的构造和宽工作温度范围(高达150°C结温)确保了在各种环境下的长期可靠性。选择HSMS-2855-TR1G,就是为您的射频系统选择了一位高效、稳定的性能搭档。

  • 型号:HSMS-2855-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-143-4
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT-143-4
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式
  • 电压 - 峰值反向(最大值):2V
  • 电流 - 最大值:-
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 1V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商器件封装:SOT-143-4
  • HSMS-2855-TR1G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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HSMS-2855-TR1G 基本参数:

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