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零件图片(仅供参考)
HSMS-286E-TR2G
规格参数

还在为射频电路中的信号损耗和速度瓶颈烦恼吗?HSMS-286E-TR2G正是您的高频性能加速器!这颗来自博通的肖特基二极管,核心价值在于其惊人的0.25pF超低结电容,它能显著减少高频信号路径中的寄生效应,让您的信号检波、混频或切换动作更快、更干净、损耗更低。

它采用微型SOT-323封装和1对共阳极结构,为您节省宝贵的电路板空间,同时其高达150°C的结温工作能力,确保了在各种应用环境下的长期可靠性。无论是提升通信设备的灵敏度,还是优化便携仪表的能效,HSMS-286E-TR2G都能让您的设计轻松实现高性能与高集成度的完美平衡。

  • 制造商产品型号:HSMS-286E-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压-峰值反向(最大值):4V
  • 电流-最大值:-
  • 不同Vr、F时电容:0.25pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:SC-70,SOT-323
  • HSMS-286E-TR2G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HSMS-286E-TR2G
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
  • 产品应用分类:二极管 - 射频
  • 点击此处查询HSMS-286E-TR2G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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