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还在寻找那颗能完美匹配您高频应用需求的射频二极管吗？HSMS-8209-BLKG正是为您而来。这颗由安华高科技（Broadcom博通）打造的肖特基交叉二极管，专为高效射频信号处理而生。其核心价值在于，它能以极低的结电容（仅0.26pF）和串联电阻，让您在GHz频段的信号检波、混频或开关电路中，获得近乎无损的信号传输与快速响应，显著提升系统整体效率。

它能让您的设计轻松应对高达150°C的结温挑战，确保在高温环境下依然稳定工作。采用紧凑的SOT143-4封装，它不仅节省宝贵的PCB空间，其4V的反向峰值电压和75mW的功率耗散能力，更为您的射频前端提供了可靠保障。选择HSMS-8209-BLKG，就是为您的产品选择了一份经过验证的高性能与高可靠性，让复杂的高频设计变得简单而高效。

• 型号:HSMS-8209-BLKG
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-143-4
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 交叉
• 电压 - 峰值反向（最大值）:4V
• 电流 - 最大值:-
• 不同Vr、F 时电容:0.26pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:14 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:75 mW
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA
• 供应商器件封装:SOT-143-4
• HSMS-8209-BLKG，安华高（Avago）产品一站式供应商。