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还在寻找那颗能精准捕捉高频微弱信号的“利器”吗？HSMS-8209-TR1正是为您而来。这颗肖特基交叉二极管的核心使命，就是让您在射频检测、混频等应用中，获得极高的灵敏度和迅捷的响应。其0.26pF的超低结电容和14欧姆的低串联电阻，共同作用，最大限度地减少信号损耗和失真，确保您获取最真实、最清晰的信号特征。

无论是用于仪器的精密测量，还是通信设备的信号处理，HSMS-8209-TR1都能稳定胜任。它采用紧凑型封装，便于您进行高密度电路设计，同时其高达150°C的结温工作能力，为您提供了强大的可靠性保障。选择它，就是为您的射频电路选择了一位高效、可靠的“信号侦察兵”。

• 制造商产品型号：HSMS-8209-TR1
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 交叉
• 电压-峰值反向（最大值）：4V
• 电流-最大值：-
• 不同Vr、F时电容：0.26pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：14 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：75mW
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：TO-253-4，TO-253AA
• HSMS-8209-TR1，安华高（Avago）产品一站式供应商。