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还在为射频前端设计的尺寸与性能难以兼得而烦恼吗？VMMK-1218-BLKG为您带来颠覆性的解决方案。这颗微型化的E-pHEMT射频FET，将高达10GHz的工作频率、低至0.81dB的优异噪声系数以及12dBm的输出功率，全部集成在微小的0402封装内，让您轻松实现高性能与高集成度的完美统一。

它就像您电路中的“信号放大专家”。在3V或5V的低压供电下，它能稳定提供9dB的增益，显著提升信号链的驱动能力，同时其卓越的噪声表现确保输入信号清晰纯净。无论是放大微弱接收信号，还是驱动后续链路，VMMK-1218-BLKG都能让您的通信链路更高效、更可靠，助您轻松应对从微波通信到测试测量等各种挑战。

• 型号:VMMK-1218-BLKG
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:0402
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 3V 0402
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:10GHz
• 增益:9dB
• 电压 - 测试:3 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.81dB
• 电流 - 测试:20 mA
• 功率 - 输出:12dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:0402（1005 公制）
• 供应商器件封装:0402
• VMMK-1218-BLKG，安华高（Avago）产品一站式供应商。