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还在为射频前端电路的噪声和尺寸烦恼吗？VMMK-1218-TR1G就是您期待的答案。这颗采用先进E-pHEMT技术的射频FET晶体管，能在高达10GHz的广阔频带上，为您提供高达9dB的增益和仅0.81dB的超低噪声系数，让您的系统轻松捕获最微弱的信号，同时输出高达12dBm的强劲功率。

更令人惊叹的是，如此卓越的性能被集成在微小的0402封装内，极大地节省了您的PCB空间，非常适合高度集成化的现代无线设备设计。其5V的额定电压和低至20mA的测试电流，意味着它能在高效工作的同时保持极佳的能效比。选择它，就是为您的通信模块、测试仪器或高端接收设备注入一颗强大而宁静的‘芯’脏。

• 型号:VMMK-1218-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:0402
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 3V 0402
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:10GHz
• 增益:9dB
• 电压 - 测试:3 V
• 额定电流（安培）:100mA
• 噪声系数:0.81dB
• 电流 - 测试:20 mA
• 功率 - 输出:12dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:0402（1005 公制）
• 供应商器件封装:0402
• VMMK-1218-TR1G，安华高（Avago）产品一站式供应商。