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还在寻找一颗能在高频段下同时兼顾低噪声和高增益的射频放大核心吗？VMMK-1225-BLKG正是您的理想答案。这颗基于先进E-pHEMT技术的射频FET晶体管，专为要求苛刻的应用而设计，它能轻松在高达12GHz的频率下工作，为您提供高达11dB的增益，同时将噪声系数牢牢控制在惊人的1dB水平，确保信号输入端的极致纯净。

这意味着，无论是用于提升接收链路的灵敏度，还是作为驱动级放大信号，VMMK-1225-BLKG都能让您的系统性能脱颖而出。其紧凑的0402封装为您节省宝贵的电路板空间，而5V的工作电压和高效的功耗表现，则让您的产品设计更加灵活高效。选择它，就是为您的无线通信、测试测量设备注入一颗强劲而稳定的“芯”。

• 型号:VMMK-1225-BLKG
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:0402
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 2V 0402
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:12GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:2 V
• 额定电流（安培）:50mA
• 噪声系数:1dB
• 电流 - 测试:20 mA
• 功率 - 输出:8dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:0402（1005 公制）
• 供应商器件封装:0402
• VMMK-1225-BLKG，安华高（Avago）产品一站式供应商。