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还在为高频电路中的信号衰减和噪声烦恼吗？VMMK-1225-TR1G正是为您破解这一难题而生。这颗基于E-pHEMT技术的射频FET，能在高达12GHz的广阔频带上，为您提供高达11dB的强劲增益，同时将噪声系数牢牢压制在惊人的1dB，确保信号纯净无染。无论是放大微弱信号还是驱动后续电路，它都能轻松胜任，输出高达8dBm的功率。

更令人赞叹的是它的高效与紧凑。仅需5V额定电压和极低的工作电流，它便能稳定输出卓越性能，大幅降低系统整体功耗。其0402超微型封装，让您能在寸土寸金的电路板上实现高密度集成，为产品小型化设计开辟了新的可能。选择它，就是选择了一条通往高性能、高可靠性射频前端的捷径。

• 型号:VMMK-1225-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:0402
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 2V 0402
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:12GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:2 V
• 额定电流（安培）:50mA
• 噪声系数:1dB
• 电流 - 测试:20 mA
• 功率 - 输出:8dBm
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:0402（1005 公制）
• 供应商器件封装:0402
• VMMK-1225-TR1G，安华高（Avago）产品一站式供应商。