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您正在寻找一颗能瞬间提升接收机前端性能的“神器”吗？VMMK-1225-TR2G正是这样一颗专为高频应用而生的射频FET。它能轻松工作在高达12GHz的频段，并以仅1dB的超低噪声系数和11dB的高增益，让您的系统拥有“鹰眼”般的信号捕捉与放大能力，显著提升接收灵敏度和动态范围。

这颗采用先进E-pHEMT技术和微型0402封装的芯片，让您能在极低的电压（2V）和电流（20mA）下驱动它，实现高效节能的射频放大。无论是用于低噪声放大器（LNA）还是增益模块，它都能帮助您简化设计，以更小的PCB空间占用，打造出性能更强劲、续航更持久的通信与测量设备。

• 型号:VMMK-1225-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:0402
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET E-PHEMT 2V 0402
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:E-pHEMT
• 配置:-
• 频率:12GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:2 V
• 额定电流（安培）:50mA
• 噪声系数:1dB
• 电流 - 测试:20 mA
• 功率 - 输出:-
• 电压 - 额定:5 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:0402（1005 公制）
• 供应商器件封装:0402
• VMMK-1225-TR2G，安华高（Avago）产品一站式供应商。