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零件图片(仅供参考)

规格参数
您正在寻找一颗能瞬间提升接收机前端性能的“神器”吗?VMMK-1225-TR2G正是这样一颗专为高频应用而生的射频FET。它能轻松工作在高达12GHz的频段,并以仅1dB的超低噪声系数和11dB的高增益,让您的系统拥有“鹰眼”般的信号捕捉与放大能力,显著提升接收灵敏度和动态范围。
这颗采用先进E-pHEMT技术和微型0402封装的芯片,让您能在极低的电压(2V)和电流(20mA)下驱动它,实现高效节能的射频放大。无论是用于低噪声放大器(LNA)还是增益模块,它都能帮助您简化设计,以更小的PCB空间占用,打造出性能更强劲、续航更持久的通信与测量设备。

基本参数:
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