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零件图片(仅供参考)
VMMK-1225-TR2G
规格参数

您正在寻找一颗能瞬间提升接收机前端性能的“神器”吗?VMMK-1225-TR2G正是这样一颗专为高频应用而生的射频FET。它能轻松工作在高达12GHz的频段,并以仅1dB的超低噪声系数和11dB的高增益,让您的系统拥有“鹰眼”般的信号捕捉与放大能力,显著提升接收灵敏度和动态范围。

这颗采用先进E-pHEMT技术和微型0402封装的芯片,让您能在极低的电压(2V)和电流(20mA)下驱动它,实现高效节能的射频放大。无论是用于低噪声放大器(LNA)还是增益模块,它都能帮助您简化设计,以更小的PCB空间占用,打造出性能更强劲、续航更持久的通信与测量设备。

  • 制造商产品型号:VMMK-1225-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:FET RF 5V 12GHZ 0402
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:E-pHEMT
  • 频率:12GHz
  • 增益:11dB
  • 电压-测试:2V
  • 额定电流(安培):50mA
  • 噪声系数:1dB
  • 电流-测试:20mA
  • 功率-输出:-
  • 电压-额定:5V
  • 封装:0402(1005 公制)
  • VMMK-1225-TR2G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:VMMK-1225-TR2G
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:FET RF 5V 12GHZ 0402
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 点击此处查询VMMK-1225-TR2G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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