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零件图片(仅供参考)
HSMS-8209-TR1G
规格参数

还在寻找那颗能完美平衡高频性能与封装尺寸的射频二极管吗?HSMS-8209-TR1G正是为您而来!这颗来自博通的交叉肖特基二极管,凭借其低至0.26pF的结电容和仅14欧姆的串联电阻,能让您的射频电路在高达1MHz的频率下依然保持信号纯净与高效传输,轻松应对混频、检波与高速开关的严苛挑战。

它采用紧凑的SOT143-4封装,为您节省宝贵的PCB空间,同时支持高达150°C的结温,确保在恶劣环境下稳定运行。选择它,就是选择了一种让设计更简洁、性能更卓越的可靠方案。

  • 制造商产品型号:HSMS-8209-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 交叉
  • 电压-峰值反向(最大值):4V
  • 电流-最大值:-
  • 不同Vr、F时电容:0.26pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:14 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):75mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-253-4,TO-253AA
  • HSMS-8209-TR1G,安华高(Avago)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HSMS-8209-TR1G
  • 原始制造厂商:安华高(Avago)
  • 技术标准参数:DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4
  • 产品应用分类:二极管 - 射频
  • 点击此处查询HSMS-8209-TR1G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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